型号:

NTB18N06LT4

RoHS:
制造商:ON Semiconductor描述:MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
NTB18N06LT4 PDF
产品变化通告 LTB Notification 03/Jan/2008
标准包装 800
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 100 毫欧 @ 7.5A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 20nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 440pF @ 25V
功率 - 最大 48.4W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 带卷 (TR)
其它名称 NTB18N06LT4OS
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